生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
最大集电极电流 (IC): | 30 A | 配置: | Single |
最小直流电流增益 (hFE): | 6 | 最高工作温度: | 200 °C |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 114 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
标称过渡频率 (fT): | 3 MHz |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6330 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-3 |
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2N6330E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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2N6331 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-3 |
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2N6331E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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2N6332 | TI | 2A, 30V, SCR, TO-39 |
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2N6333 | TI | 2A, 50V, SCR, TO-39 |
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