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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.67 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 30 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6322E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 200V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N6323 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 300V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N6323 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N6324 | SSDI |
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30 AMP NPN HIGH VOLTAGE / HIGH ENERGY 200 VOLTS |
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| 2N6324E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N6325 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N6326 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6326 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6326 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6326 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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