5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-66 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.34 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 4 | JEDEC-95代码： | TO-213AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6318A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 80V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
|
| 2N6318LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
|
| 2N6322 | SSDI |
获取价格 |
30 AMP NPN HIGH VOLTAGE / HIGH ENERGY 200 VOLTS |
|
| 2N6322 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N6322 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N6322 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2N6322E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 200V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
|
| 2N6323 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 300V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
|
| 2N6323 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2N6324 | SSDI |
获取价格 |
30 AMP NPN HIGH VOLTAGE / HIGH ENERGY 200 VOLTS |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
