是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-66 |
包装说明: | TO-66, 2 PIN | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.07 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 7 A | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 20 |
JEDEC-95代码: | TO-66 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | PNP |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | MATTE TIN (315) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 4 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6318A | NJSEMI | Trans GP BJT PNP 80V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
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2N6318LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
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2N6322 | SSDI | 30 AMP NPN HIGH VOLTAGE / HIGH ENERGY 200 VOLTS |
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2N6322 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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2N6322 | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
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2N6322 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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