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2N6315

更新时间: 2024-02-07 03:15:58
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2页 253K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

2N6315 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.64最大集电极电流 (IC):7 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):4JEDEC-95代码:TO-66
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4 MHzBase Number Matches:1

2N6315 数据手册

 浏览型号2N6315的Datasheet PDF文件第2页 

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