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2N6318

更新时间: 2024-01-09 08:15:59
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NJSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 127K
描述
SILICON POWER TRANSISTORS

2N6318 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-66
包装说明:TO-66, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.07
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):7 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-66JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN (315)端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4 MHzBase Number Matches:1

2N6318 数据手册

  

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