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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.05 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-213AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 90 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 1800 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6318A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 80V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
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| 2N6318LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
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| 2N6322 | SSDI |
获取价格 |
30 AMP NPN HIGH VOLTAGE / HIGH ENERGY 200 VOLTS |
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| 2N6322 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6322 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6322 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2N6322E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 200V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N6323 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 300V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N6323 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2N6324 | SSDI |
获取价格 |
30 AMP NPN HIGH VOLTAGE / HIGH ENERGY 200 VOLTS |
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