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2N6315

更新时间： 2024-02-19 15:43:11

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2页	21K
描述
COMPLEMENTARY SILICON

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2N6315 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.64	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	4	JEDEC-95代码：	TO-66
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

2N6315 数据手册

2N6315

2N6317

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

COMPLEMENTARY SILICON

MEDIUM POWER TRANSISTORS

6.35 (0.250)

8.64 (0.340)

3.68

(0.145) rad.

max.

3.61 (0.142)

4.08(0.161)

rad.

COMPLEMENTARY TRANSISTORS

2N6315 (NPN) AND 2N6317 (PNP)

FEATURES

1.27 (0.050)

1.91 (0.750)

• Low Collector Emitter Saturation Voltage

• Low Leakage Current

4.83 (0.190)

5.33 (0.210)

9.14 (0.360)

min.

• Excellent DC Current Gain

APPLICATIONS:

TO–66 (TO-213AA)

Designed for general purpose amplifier

and switching applications.

Pin 1 –Base

Pin 2 –Emitter

Case – Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25°C unless otherwise stated)

Collector – Emitter Voltage

Collector – Base Voltage

Emitter – Base Voltage

Collector Current

60V

CEO

CBO

EBO

Continuous

Peak

15A

Base Current

Total Dissipation @ T = 25°C

90W

Derate above 25°C

0.515W/°C

–65 to +200°C

1.94°C/W

, T

Operating and Storage Junction Temperature Range

Thermal Resistance – Junction - Case

STG

θJC

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to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

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Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

Document Number 5353

E-mail: sales@semelab.co.uk

Website: http://www.semelab.co.uk

Issue 1

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