5秒后页面跳转
2N5680 PDF预览

2N5680

更新时间: 2024-01-13 13:59:58
品牌 Logo 应用领域
NJSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 132K
描述
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

2N5680 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.82
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:120 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):5
JEDEC-95代码:TO-205ADJESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):30 MHz

2N5680 数据手册

  

与2N5680相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N5680LEADFREE CENTRAL

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, T
2N5680PNP CDIL

获取价格

PNP/NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS
2N5681 SEME-LAB

获取价格

NPN SILICON TRANSISTORS
2N5681 BOCA

获取价格

PNP/NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS
2N5681 CENTRAL

获取价格

Small Signal Transistors
2N5681 MICROSEMI

获取价格

NPN POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIER
2N5681 COMSET

获取价格

NPN SWITCHING TRANSISTORS
2N5681 NJSEMI

获取价格

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
2N5681 STMICROELECTRONICS

获取价格

SILICON NPN TRANSISTORS
2N5681 CDIL

获取价格

PNP/NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS