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2N5682LEADFREE

更新时间： 2024-01-22 00:37:27
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 978K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN

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2N5682LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-39
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.18
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-39JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：30 MHzBase Number Matches：1

2N5682LEADFREE 数据手册

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2N5679 2N5680 PNP  
2N5681 2N5682 NPN  
www.centralsemi.com  
COMPLEMENTARY  
SILICON POWER TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5679, 2N5681  
series devices are complementary silicon power  
transistors, manufactured by the epitaxial planar  
process, designed for general purpose amplifier  
and switching applications where high voltages are  
required.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-39 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
2N5679  
2N5681  
100  
2N5680  
2N5682  
120  
A
SYMBOL  
UNITS  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
100  
120  
V
V
4.0  
1.0  
0.5  
1.0  
10  
Continuous Collector Current  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
I
A
C
I
A
B
P
W
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
P
W
C
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +200  
175  
°C  
J
stg  
Θ
°C/W  
°C/W  
JA  
JC  
Thermal Resistance  
Θ
17.5  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
I
I
V
V
V
V
V
V
=Rated V  
=Rated V  
=Rated V  
1.0  
μA  
CBO  
CEV  
CEV  
CEO  
CEO  
EBO  
CB  
CE  
CE  
CE  
CE  
EB  
CBO  
, V =1.5V  
1.0  
1.0  
10  
μA  
mA  
μA  
μA  
μA  
V
CEO EB  
, V =1.5V, T =150°C  
CEO EB  
C
=70V (2N5679, 2N5681)  
=80V (2N5680, 2N5682)  
=4.0V  
10  
1.0  
BV  
I =10mA (2N5679, 2N5681)  
100  
120  
CEO  
CEO  
C
BV  
I =10mA (2N5680, 2N5682)  
V
C
V
V
V
V
I =250mA, I =25mA  
0.6  
1.0  
2.0  
1.0  
150  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =500mA, I =50mA  
V
C
B
I =1.0A, I =200mA  
V
C
B
V
=2.0V I =250mA  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
h
h
h
V
V
V
V
V
=2.0V, I =250mA  
40  
5.0  
40  
30  
C
=2.0V, I =1.0A  
FE  
C
=1.5V, I =0.2A, f=1.0kHz  
fe  
C
f
=10V, I =100mA, f=10MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
=20V, I =0, f=1.0MHz  
50  
ob  
E
R2 (2-December 2013)  
1234

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