5秒后页面跳转
2N5685 PDF预览

2N5685

更新时间: 2024-09-22 22:49:23
品牌 Logo 应用领域
统懋 - MOSPEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 188K
描述
POWER TRANSISTORS(50A,300W)

2N5685 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:TO-204AA
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.32外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):50 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):5
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):300 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):2 MHz

2N5685 数据手册

 浏览型号2N5685的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N5685的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N5685的Datasheet PDF文件第4页 
A

与2N5685相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N5685_1 MICROSEMI

获取价格

NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N5685E3 MICROSEMI

获取价格

Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal
2N5686 MICROSEMI

获取价格

NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N5686 MOSPEC

获取价格

POWER TRANSISTORS(50A,300W)
2N5686 ONSEMI

获取价格

High-Current Complementary Silicon Power Transistors
2N5686 NJSEMI

获取价格

SI NPN POWER BJT
2N5686G ONSEMI

获取价格

High-Current Complementary Silicon Power Transistors
2N5687 DIGITRON

获取价格

TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-39
2N5688 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-117
2N5716 ETC

获取价格

TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 50UA I(DSS) | TO-92