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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5719 | NJSEMI |
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SCRS 5AMP, PLANAR |
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| 2N5720 | NJSEMI |
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SCRS 5AMP, PLANAR |
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| 2N5721 | NJSEMI |
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SCRS 5AMP, PLANAR |
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| 2N5722 | NJSEMI |
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SCRS 5AMP, PLANAR |
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| 2N5723 | NJSEMI |
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SCRS 5AMP, PLANAR |
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| 2N5724 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.7065A I(T)RMS, 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element, TO-205AD |
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| 2N5726 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.39A I(T)RMS, 390mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Eleme |
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| 2N5726 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.7065A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-205 |
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| 2N5727 | SSDI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.39A I(T)RMS, 390mA I(T), 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Eleme |
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| 2N5727 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.7065A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-205 |
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