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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.77 | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-59 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5730E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3 |
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| 2N5731 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AC |
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| 2N5731E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N5732 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5732 | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5732E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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