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2N574

更新时间： 2024-01-31 06:17:15

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	372K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 55V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| STR-1/4

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2N574 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	10 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	9	最高工作温度：	100 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	187 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO

2N574 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2N5740	ISC	isc Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2N5740	SAVANTIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2N5740	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,	获取价格
2N5740E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,	获取价格
2N5741	ISC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格

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