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2N5742

更新时间： 2024-11-15 06:18:27

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	118K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N5742 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	65 W	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	VCEsat-Max：	3 V

2N5742 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N5741 2N5742

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

·Fast switching speed

APPLICATIONS

·For general–purpose switching

and power amplifier applications.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-60

UNIT

2N5741

2N5742

2N5741

2N5742

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

-100

-60

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-100

-5

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-20

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=100℃

℃

150

T_stg

-65~200

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

0.875

℃/W

12 3

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