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2N5738

更新时间： 2024-02-25 14:11:34

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
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2页	40K
描述
isc Silicon PNP Power Transistors

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2N5738 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
Base Number Matches：	1

2N5738 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistors

2N5738

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= -100V(Min.)

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= -0.5V(Max.)@ I_C= -5A

·Wide Area of Safe Operation

APPLICATIONS

·Designed for general-purpose power amplifier and switching

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

-100

-5

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

-10

I_CM

-20

I_B

-4

Collector Power Dissipation

@T_C=100℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Ambient

0.5

℃/W

R_{th j-a}

isc Website：www.iscsemi.cn

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