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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.6 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5730 | VISHAY |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3 |
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| 2N5730E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3 |
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| 2N5731 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AC |
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| 2N5731E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N5732 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5732 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5732E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N5733 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-210AE |
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| 2N5734 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N5734 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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