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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 标称电路换相断开时间： | 30 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 100 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.02 mA | 最大直流栅极触发电压： | 0.6 V |
| 最大维持电流： | 2 mA | JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 最大漏电流： | 0.0001 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 8 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 390 A |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 最大均方根通态电流： | 0.39 A |
| 断态重复峰值电压： | 200 V | 重复峰值反向电压： | 200 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5727 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.39A I(T)RMS, 390mA I(T), 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Eleme |
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| 2N5727 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.7065A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-205 |
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| 2N5729 | NJSEMI |
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NPN TO-39/TO-5 |
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| 2N5729 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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| 2N5729 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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| 2N5729 | ASI |
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Transistor |
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| 2N5730 | VISHAY |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3 |
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| 2N5730E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3 |
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| 2N5731 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AC |
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| 2N5731E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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