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2N5684

更新时间: 2024-01-18 23:38:25
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NJSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 206K
描述
HIGH-CURRENT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

2N5684 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Active
零件包装代码:BFM包装说明:LEAD FREE, CASE 197A-05, TO-3, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:0.66
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):50 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):5JEDEC-95代码:TO-204AE
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):300 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):2 MHz
Base Number Matches:1

2N5684 数据手册

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