5秒后页面跳转
2N5683 PDF预览

2N5683

更新时间: 2024-02-10 23:42:43
品牌 Logo 应用领域
统懋 - MOSPEC 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 188K
描述
POWER TRANSISTORS(50A,300W)

2N5683 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:BFM
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.23Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):50 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):15JEDEC-95代码:TO-204AE
JESD-30 代码:O-MBFM-P2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):2 MHzBase Number Matches:1

2N5683 数据手册

 浏览型号2N5683的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N5683的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N5683的Datasheet PDF文件第4页 
A

与2N5683相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N5683E3 MICROSEMI Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2

获取价格

2N5684 MICROSEMI NPN POWER SILICON TRANSISTOR

获取价格

2N5684 ONSEMI High-Current Complementary Silicon Power Transistors

获取价格

2N5684 NJSEMI HIGH-CURRENT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

获取价格

2N5684 MOSPEC POWER TRANSISTORS(50A,300W)

获取价格

2N5684/D ETC High-Current Complementary Silicon Power Transistors

获取价格