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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-39 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.18 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5682LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, T |
|
| 2N5682NPN | CDIL |
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PNP/NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS |
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| 2N5683 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(50A,300W) |
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| 2N5683 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N5683 | NJSEMI |
获取价格 |
BJTS, SI PNP POWER |
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| 2N5683 | ASI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 2 Pin, MODIFIED TO-3, |
|
| 2N5683E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2N5684 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N5684 | ONSEMI |
获取价格 |
High-Current Complementary Silicon Power Transistors |
|
| 2N5684 | NJSEMI |
获取价格 |
HIGH-CURRENT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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