Datasheet > 2N5682

2N5682

更新时间： 2024-01-26 18:55:42

品牌	Logo	应用领域
CDIL		高压晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	192K
描述
PNP/NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N5682 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.18
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2N5682 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

PNP/NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS

2N5679 2N5681

2N5680 2N5682

PNP

NPN

TO-39

These Are High Voltage & High Current, General Purpose Transistors

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

DESCRIPTION

SYMBOL

2N5679

2N5681

100

2N5680

2N5682

120

UNITS

Collector -Emitter Voltage

Collector -Base Voltage

Emitter -Base Voltage

Collector Current Continuous

Base Current

Power Dissipation @Ta=25 degC

Derate Above 25deg C

Power Dissipation @Tc=25 degC

Derate Above 25deg C

Operating And Storage Junction

Temperature Range

VCEO

VCBO

VEBO

100

120

4.0

1.0

0.5

1.0

5.7

mW/deg C

deg C

Tj, Tstg

-65 to +200

THERMAL RESISTANCE

Junction to Case

Junction to Ambient

Rth(j-c)

Rth(j-a)

17.5

175

deg C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

2N5679 2N5680

2N5681 2N5682

UNITS

Collector -Emitter Voltage

Collector-Cut off Current

VCEO(sus) IC=10mA,IB=0

>100

<1.0

<10

>120

<1.0

<10

ICBO

ICEO

ICEX

VCB=100V, IE=0

VCB=120V, IE=0

VCE=70V, IB=0

VCE=80V, IB=0

VCE=100V,VEB=1.5V

VCE=120V,VEB=1.5V

<1.0

TC=150 deg C

VCE=100V,VEB=1.5V

VCE=120V,VEB=1.5V

VEB=4V, IC=0

<1.0

Emitter-Cut off Current

IEBO

Continental Device India Limited

Page 1 of 3

Data Sheet

12 3

下载PDF

与2N5682相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5682LEADFREE	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, T	获取价格
2N5682NPN	CDIL	PNP/NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS	获取价格
2N5683	MOSPEC	POWER TRANSISTORS(50A,300W)	获取价格
2N5683	MICROSEMI	NPN POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格
2N5683	NJSEMI	BJTS, SI PNP POWER	获取价格
2N5683	ASI	Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 2 Pin, MODIFIED TO-3,	获取价格