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2N5630

更新时间： 2024-01-20 13:11:36

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2N5630 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	16 A	基于收集器的最大容量：	500 pF
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1 MHz
VCEsat-Max：	2 V	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5630E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL	获取价格
2N5630PBFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor,	获取价格
2N5631	ONSEMI	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON	获取价格
2N5631	NJSEMI	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON	获取价格
2N5631	ASI	Transistor	获取价格
2N5631	FAIRCHILD	Transistor,	获取价格
2N5631	JMNIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N5631	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N5631	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N5631/D	ONSEMI	High-Voltage High-Power Transistors	获取价格
2N5631E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 140V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL	获取价格
2N5631G	ONSEMI	16A, 140V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA, CASE 1-07, TO-3, 2 PIN	获取价格
2N5632	CENTRAL	SILICON POWER TRANSISTOR	获取价格
2N5632	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package	获取价格
2N5632	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N5632	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N5632	JMNIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N5632	NJSEMI	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS	获取价格
2N5632E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin, TO-6	获取价格
2N5632LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2	获取价格