2N5551RLRP

更新时间： 2024-09-15 21:53:43

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安森美 - ONSEMI		晶体放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	75K
描述
Amplifier Transistors

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2N5551RLRP 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.02	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2N5551RLRP 数据手册

2N5550, 2N5551

Preferred Device

Amplifier Transistors

NPN Silicon

Features

• Pb−Free Packages are Available*

http://onsemi.com

• Device Marking: Device Type, e.g., 2N5550, Date Code

COLLECTOR

BASE

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol 2N5550 2N5551

Unit

Vdc

EMITTER

Collector − Emitter Voltage

Collector − Base Voltage

Emitter − Base Voltage

Collector Current − Continuous

Total Device Dissipation

CEO

CBO

140

160

180

Vdc

EBO

6.0

Vdc

MARKING

DIAGRAM

600

mAdc

@ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

55xx

YWW

TO−92

CASE 29

STYLE 1

Total Device Dissipation

@ T = 25°C

Derate above 25°C

1.5

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

−55 to +150

°C

stg

55xx

Specific Device Code

= Year

= Work Week

Maximumratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits

are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur

and reliability may be affected.

ORDERING INFORMATION

THERMAL CHARACTERISTICS

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 3 of this data sheet.

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance,

Junction−to−Ambient

200

°C/W

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Thermal Resistance,

Junction−to−Case

83.3

°C/W

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

downloadthe ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference

Manual, SOLDERRM/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

June, 2004 − Rev. 3

2N5550/D

12 3 4 5 6

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2N5551RLRP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N5551BU	ONSEMI	类似代替	Small Signal NPN Bipolar Transistor
2N5551TA	ONSEMI	类似代替	Small Signal NPN Bipolar Transistor
2N5551TA	FAIRCHILD	类似代替	NPN General Purpose Amplifier

与2N5551RLRP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N5551RLRPG	ONSEMI	获取价格	Amplifier Transistors NPN Silicon
2N5551RUBG	STMICROELECTRONICS	获取价格	高可靠性NPN双极性晶体管160 V、0.5 A
2N5551RUBT	STMICROELECTRONICS	获取价格	高可靠性NPN双极性晶体管160 V、0.5 A
2N5551S	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)
2N5551S_99	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
2N5551SC	KEC	获取价格	SOT-23(1)
2N5551SHR	STMICROELECTRONICS	获取价格	160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
2N5551STOB	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N5551T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-92
2N5551T1	STMICROELECTRONICS	获取价格	160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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