5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2N5551TA
2N5551TA PDF预览

2N5551TA

更新时间： 2024-11-06 11:11:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 209K
描述
Small Signal NPN Bipolar Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

2N5551TA 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.59Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：160 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

2N5551TA 数据手册

 浏览型号2N5551TA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N5551TA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N5551TA的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N5551TA的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N5551TA的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2N5551TA的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
www.onsemi.com  
NPN General-Purpose  
Amplifier  
TO−92−3  
4.825x4.76  
CASE 135AN  
2N5551  
E
B
C
Description  
This device is designed for general−purpose high−voltage  
amplifiers and gas discharge display drivers.  
TO−92−3  
4.83x4.76 LEADFORMED  
CASE 135AR  
Features  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
E
Compliant  
B
C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
MARKING DIAGRAM  
Symbol  
Parameter  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Value  
Unit  
V
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
160  
A55  
51(Y)  
YWW  
180  
V
6
V
I
Collector Current − Continuous  
600  
mA  
°C  
C
T , T  
Operating and Storage Temperature  
(Note 2)  
−55 to + 150  
J
STG  
A
= Assembly Location  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any  
semiconductor device may be impaired.  
5551(Y) = Specific Device Code  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
2. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C. These  
are steady−state limits. onsemi should be consulted on applications involving  
pulsed or low−duty cycle operations.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 5 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
November, 2022 − Rev. 5  
2N5551T/D  
 
12345678

中文翻译

下载PDF

2N5551TA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N5551BU ONSEMI

完全替代

 Small Signal NPN Bipolar Transistor
2N5551TF ONSEMI

类似代替

 Small Signal NPN Bipolar Transistor
2N5551 ONSEMI

功能相似

 mplifier Transistors(NPN Silicon)

与2N5551TA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N5551TAR ROCHESTER

获取价格

 		600mA, 160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3
2N5551TF FAIRCHILD

获取价格

 		NPN General-Purpose Amplifier
2N5551TF ONSEMI

获取价格

 		Small Signal NPN Bipolar Transistor
2N5551TF-C ONSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
2N5551TFR FAIRCHILD

获取价格

 		NPN General-Purpose Amplifier
2N5551TFR ONSEMI

获取价格

 		Small Signal NPN Bipolar Transistor
2N5551TFR-Y ONSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
2N5551TF-Y ONSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor
2N5551TRB CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N5551TRC CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

与2N5551TA相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证