2N5401ZL1G

更新时间： 2024-02-14 23:56:14

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安森美 - ONSEMI		晶体放大器小信号双极晶体管
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6页	84K
描述
Amplifier Transistors PNP Silicon

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2N5401ZL1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	LEAD FREE, CASE 29-11, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.02
Is Samacsys：	N	其他特性：	EUROPEAN PART NUMBER
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e1	湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2N5401ZL1G 数据手册

2N5400, 2N5401

Preferred Device

Amplifier Transistors

PNP Silicon

Features

• Pb−Free Packages are Available*

http://onsemi.com

COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol 2N5400 2N5401

Unit

Vdc

BASE

Collector − Emitter Voltage

Collector − Base Voltage

Emitter − Base Voltage

Collector Current − Continuous

Total Device Dissipation

120

130

150

160

CEO

CBO

Vdc

EMITTER

EBO

5.0

Vdc

600

mAdc

@ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

TO−92

Total Device Dissipation

CASE 29

STYLE 1

@ T = 25°C

1.5

Watts

mW/°C

Derate above 25°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

−55 to +150

°C

stg

MARKING DIAGRAM

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximumratings applied to the device are individual stress limit values (not nor-

mal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are ex-

ceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and reli-

ability may be affected.

540x

AYWWG

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance,

200

°C/W

Junction−to−Ambient

Thermal Resistance,

Junction−to−Case

83.3

°C/W

= Assembly Location

= Year

= Work Week

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 5 of this data sheet.

*For additional information on our Pb−Free strategy

and soldering details, please download the

ON Semiconductor Soldering and Mounting

Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2005

Publication Order Number:

December, 2005 − Rev. 1

2N5400/D

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2N5401ZL1G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N5401	ONSEMI	完全替代	Amplifier Transistors
2N5401RLRAG	ONSEMI	完全替代	Amplifier Transistors
2N5401RLRA	ONSEMI	完全替代	Amplifier Transistors

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2N5404	SEME-LAB	获取价格	SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS IN TO-5
2N5404	NJSEMI	获取价格	PNP POWER TRANSISTORS
2N5404	APITECH	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5,
2N5404_01	SEME-LAB	获取价格	SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS IN TO-5
2N5405	SEME-LAB	获取价格	SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS IN TO-5
2N5405	NJSEMI	获取价格	PNP POWER TRANSISTORS
2N5405	APITECH	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5,
2N5406	APITECH	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5,
2N5406	NJSEMI	获取价格	PNP POWER TRANSISTORS
2N5406	SEME-LAB	获取价格	SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS IN TO-5

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