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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.69 | JESD-609代码： | e3 |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N420A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 70V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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| 2N4210 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AE |
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| 2N4210E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 |
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| 2N4211 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AE |
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| 2N4211E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 |
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| 2N4213 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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| 2N4213 | NJSEMI |
获取价格 |
SCR, V(DRM) = 50V TO 99.9V |
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| 2N4213 | SSDI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1.3A I(T)RMS, 1600mA I(T), 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element |
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| 2N4214 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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| 2N4214 | SSDI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 1600mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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