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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.05 mA | 最大直流栅极触发电压： | 0.65 V |
| 最大维持电流： | 5 mA | JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 最大漏电流： | 0.2 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 15 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 1600 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -45 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 最大均方根通态电流： | 1 A |
| 断态重复峰值电压： | 200 V | 重复峰值反向电压： | 200 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N4218 | NJSEMI |
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SCR, V(DRM) = 300V TO 399.9V |
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| 2N4219 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 1600mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element |
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| 2N4219 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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| 2N4220 | INTERFET |
获取价格 |
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor |
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| 2N4220 | INTERSIL |
获取价格 |
N-CHANNEL JFET |
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| 2N4220 | NJSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL JFET |
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| 2N4220 | CENTRAL |
获取价格 |
Junction FETs Low Frequency/ Low Noise |
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| 2N4220A | INTERFET |
获取价格 |
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor |
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| 2N4220A | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| 2N4220A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans JFET N-CH Si 4-Pin TO-72 |
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