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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N4225 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, 3 |
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| 2N4225E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, 3 |
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| 2N4226 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
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| 2N4227 | ASI |
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Transistor |
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| 2N4227 | MICRO-ELECTRONICS |
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Transistor, |
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| 2N4228 | ASI |
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Transistor |
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| 2N4228 | MICRO-ELECTRONICS |
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Transistor, |
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| 2N4231 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package |
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| 2N4231 | CENTRAL |
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Power Transistors |
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| 2N4231 | BOCA |
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COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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