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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> 2N4221A
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2N4221A

更新时间： 2024-11-19 22:35:51
品牌 Logo 应用领域
INTERFET 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 96K
描述
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

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2N4221A 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.25Is Samacsys：N
配置：SINGLEFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：2 pF最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-72JESD-30 代码：O-MBCY-W4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N4221A 数据手册

  
B-10  
01/99  
2N4220, 2N4220A, 2N4221, 2N4221A, 2N4222, 2N4222A  
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor  
Absolute maximum ratings at T = 25¡C  
¥ Mixers  
A
Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage  
– 30 V  
10 mA  
300 mW  
2 mW/°C  
¥ Oscillators  
Continuous Forward Gate Current  
Continuous Device Power Dissipation  
Power Derating (to 150 °C)  
¥ VHF Amplifiers  
¥ Small Signal Amplifiers  
2N4220  
2N4221  
2N4222  
2N4220A  
2N4221A  
2N4222A  
NJ16  
NJ16  
NJ32  
Process  
Test Conditions  
At 25°C free air temperature:  
Static Electrical Characteristics  
Min Max Min Max Min Max Unit  
Gate Source Breakdown Voltage  
V
– 30  
– 30  
– 30  
V
– 0.1 nA  
– 0.1 µA  
I = – 1µA, V = ØV  
G DS  
(BR)GSS  
– 0.1  
– 0.1  
– 0.1  
– 0.1  
V
= – 15V, V = ØV  
DS  
GS  
Gate Reverse Current  
I
GSS  
V
= – 15V, V = ØV  
DS  
T = 150°C  
A
GS  
– 0.5 – 2.5 – 1  
(50) (50) (200) (200) (500) (500) µA  
– 5  
– 2  
– 6  
V
V
Gate Source Voltage  
V
= 15V, I = ( )  
D
GS  
DS  
Gate Source Cutoff Voltage  
V
– 4  
3
– 6  
6
– 8  
15  
V
V
= 15V, I = 0.1 nA  
GS(OFF)  
DS D  
Drain Saturation Current (Pulsed)  
I
0.5  
2
5
mA  
V
= 15V, V = ØV  
DSS  
DS GS  
Dynamic Electrical Characteristics  
Common Source Forward  
Transconductance  
g
1000 4000 2000 5000 2500 6000 µS  
V
= 15V, V = ØV  
f = 1 kHz  
fs  
DS GS  
Common Source Forward Transmittance | Y |  
750  
750  
750  
µS  
µS  
pF  
V
= 15V, V = ØV  
f = 100 MHz  
f = 1 kHz  
fs  
DS GS  
Common Source Output Conductance  
Common Source Input Capacitance  
g
10  
6
20  
6
40  
6
V
= 15V, V = ØV  
os  
DS GS  
C
V
= 15V, V = ØV  
f = 1 MHz  
iss  
DS GS  
Common Source Reverse  
Transfer Capacitance  
C
2
2
2
pF  
V
= 15V, V = ØV  
f = 1 MHz  
rss  
DS GS  
V
= 15V, V = ØV  
GS  
Noise Figure  
2N4220A, 2N4221A, 2N4222A  
DS  
NF  
2.5  
2.5  
2.5  
dB  
f = 100 MHz  
R = 1 MΩ  
G
TOÐ72 Package  
Dimensions in Inches (mm)  
Pin Configuration  
1 Source, 2 Drain, 3 Gate, 4 Case  
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042  
(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375  
www.interfet.com  
1

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