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2N4225E3

更新时间: 2024-11-24 14:47:23
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美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 61K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, 3 PIN

2N4225E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:TO-5, 3 PIN
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.77
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:40 V最小直流电流增益 (hFE):40
JEDEC-95代码:TO-5JESD-30 代码:O-MBCY-W3
端子数量:3封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N4225E3 数据手册

  

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