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| 2N4227 | ASI |
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Transistor |
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| 2N4227 | MICRO-ELECTRONICS |
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Transistor, |
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| 2N4228 | ASI |
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Transistor |
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| 2N4228 | MICRO-ELECTRONICS |
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Transistor, |
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| 2N4231 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package |
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| 2N4231 | CENTRAL |
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Power Transistors |
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| 2N4231 | BOCA |
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COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS |
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| 2N4231 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 40V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-66 |
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| 2N4231A | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 |
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| 2N4231A | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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