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2N4220

更新时间： 2024-01-21 10:05:16
品牌 Logo 应用领域
INTERFET 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 96K
描述
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

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2N4220 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.21
其他特性：LOW NOISE配置：SINGLE
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：2 pF
JEDEC-95代码：TO-72JESD-30 代码：O-MBCY-W4
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N4220 数据手册

  
B-10  
01/99  
2N4220, 2N4220A, 2N4221, 2N4221A, 2N4222, 2N4222A  
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor  
Absolute maximum ratings at T = 25¡C  
¥ Mixers  
A
Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage  
– 30 V  
10 mA  
300 mW  
2 mW/°C  
¥ Oscillators  
Continuous Forward Gate Current  
Continuous Device Power Dissipation  
Power Derating (to 150 °C)  
¥ VHF Amplifiers  
¥ Small Signal Amplifiers  
2N4220  
2N4221  
2N4222  
2N4220A  
2N4221A  
2N4222A  
NJ16  
NJ16  
NJ32  
Process  
Test Conditions  
At 25°C free air temperature:  
Static Electrical Characteristics  
Min Max Min Max Min Max Unit  
Gate Source Breakdown Voltage  
V
– 30  
– 30  
– 30  
V
– 0.1 nA  
– 0.1 µA  
I = – 1µA, V = ØV  
G DS  
(BR)GSS  
– 0.1  
– 0.1  
– 0.1  
– 0.1  
V
= – 15V, V = ØV  
DS  
GS  
Gate Reverse Current  
I
GSS  
V
= – 15V, V = ØV  
DS  
T = 150°C  
A
GS  
– 0.5 – 2.5 – 1  
(50) (50) (200) (200) (500) (500) µA  
– 5  
– 2  
– 6  
V
V
Gate Source Voltage  
V
= 15V, I = ( )  
D
GS  
DS  
Gate Source Cutoff Voltage  
V
– 4  
3
– 6  
6
– 8  
15  
V
V
= 15V, I = 0.1 nA  
GS(OFF)  
DS D  
Drain Saturation Current (Pulsed)  
I
0.5  
2
5
mA  
V
= 15V, V = ØV  
DSS  
DS GS  
Dynamic Electrical Characteristics  
Common Source Forward  
Transconductance  
g
1000 4000 2000 5000 2500 6000 µS  
V
= 15V, V = ØV  
f = 1 kHz  
fs  
DS GS  
Common Source Forward Transmittance | Y |  
750  
750  
750  
µS  
µS  
pF  
V
= 15V, V = ØV  
f = 100 MHz  
f = 1 kHz  
fs  
DS GS  
Common Source Output Conductance  
Common Source Input Capacitance  
g
10  
6
20  
6
40  
6
V
= 15V, V = ØV  
os  
DS GS  
C
V
= 15V, V = ØV  
f = 1 MHz  
iss  
DS GS  
Common Source Reverse  
Transfer Capacitance  
C
2
2
2
pF  
V
= 15V, V = ØV  
f = 1 MHz  
rss  
DS GS  
V
= 15V, V = ØV  
GS  
Noise Figure  
2N4220A, 2N4221A, 2N4222A  
DS  
NF  
2.5  
2.5  
2.5  
dB  
f = 100 MHz  
R = 1 MΩ  
G
TOÐ72 Package  
Dimensions in Inches (mm)  
Pin Configuration  
1 Source, 2 Drain, 3 Gate, 4 Case  
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042  
(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375  
www.interfet.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N4220A INTERFET

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2N4220LEADFREE CENTRAL

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 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-7
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 		N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
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