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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N4211E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 |
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| 2N4213 | MOTOROLA |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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| 2N4213 | NJSEMI |
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SCR, V(DRM) = 50V TO 99.9V |
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| 2N4213 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 1.3A I(T)RMS, 1600mA I(T), 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element |
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| 2N4214 | MOTOROLA |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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| 2N4214 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 1600mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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| 2N4215 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 1.3A I(T)RMS, 1000mA I(T), 150V V(DRM), 150V V(RRM), 1 Eleme |
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| 2N4216 | MOTOROLA |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIERS |
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| 2N4216 | NJSEMI |
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SCR, V(DRM) = 200V TO 299.9V |
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| 2N4216 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 1600mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
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