2N4214

更新时间： 2024-11-24 22:35:51

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摩托罗拉 - MOTOROLA		触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	78K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS

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2N4214 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	0.1 mA	最大直流栅极触发电压：	0.8 V
最大维持电流：	3 mA	JEDEC-95代码：	TO-205AD
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
最大漏电流：	0.2 mA	通态非重复峰值电流：	15 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	1600 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1.6 A	重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA
断态重复峰值电压：	100 V	重复峰值反向电压：	100 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N4215	SSDI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1.3A I(T)RMS, 1000mA I(T), 150V V(DRM), 150V V(RRM), 1 Eleme
2N4216	MOTOROLA	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
2N4216	NJSEMI	获取价格	SCR, V(DRM) = 200V TO 299.9V
2N4216	SSDI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 1600mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element
2N4218	NJSEMI	获取价格	SCR, V(DRM) = 300V TO 399.9V
2N4219	SSDI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 1600mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element
2N4219	MOTOROLA	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
2N4220	INTERFET	获取价格	N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
2N4220	INTERSIL	获取价格	N-CHANNEL JFET
2N4220	NJSEMI	获取价格	N-CHANNEL JFET