5秒后页面跳转
2N4216 PDF预览

2N4216

更新时间: 2024-11-20 22:35:51
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
2页 78K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS

2N4216 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.72Is Samacsys:N
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:0.1 mA最大直流栅极触发电压:0.8 V
最大维持电流:3 mAJEDEC-95代码:TO-205AD
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e0
最大漏电流:0.2 mA通态非重复峰值电流:15 A
元件数量:1端子数量:3
最大通态电流:1600 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:1.6 A重复峰值关态漏电流最大值:10 µA
断态重复峰值电压:200 V重复峰值反向电压:200 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

2N4216 数据手册

 浏览型号2N4216的Datasheet PDF文件第2页 

与2N4216相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N4218 NJSEMI

获取价格

SCR, V(DRM) = 300V TO 399.9V
2N4219 SSDI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 1600mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element
2N4219 MOTOROLA

获取价格

SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
2N4220 INTERFET

获取价格

N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
2N4220 INTERSIL

获取价格

N-CHANNEL JFET
2N4220 NJSEMI

获取价格

N-CHANNEL JFET
2N4220 CENTRAL

获取价格

Junction FETs Low Frequency/ Low Noise
2N4220A INTERFET

获取价格

N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
2N4220A VISHAY

获取价格

Transistor
2N4220A NJSEMI

获取价格

Trans JFET N-CH Si 4-Pin TO-72