是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.72 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ANODE | 配置: | SINGLE |
最大直流栅极触发电流: | 0.1 mA | 最大直流栅极触发电压: | 0.8 V |
最大维持电流: | 3 mA | JEDEC-95代码: | TO-205AD |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | JESD-609代码: | e0 |
最大漏电流: | 0.2 mA | 通态非重复峰值电流: | 15 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最大通态电流: | 1600 A | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 1.6 A | 重复峰值关态漏电流最大值: | 10 µA |
断态重复峰值电压: | 200 V | 重复峰值反向电压: | 200 V |
子类别: | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N4218 | NJSEMI |
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SCR, V(DRM) = 300V TO 399.9V | |
2N4219 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 1600mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element | |
2N4219 | MOTOROLA |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIERS | |
2N4220 | INTERFET |
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N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor | |
2N4220 | INTERSIL |
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N-CHANNEL JFET | |
2N4220 | NJSEMI |
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N-CHANNEL JFET | |
2N4220 | CENTRAL |
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Junction FETs Low Frequency/ Low Noise | |
2N4220A | INTERFET |
获取价格 |
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor | |
2N4220A | VISHAY |
获取价格 |
Transistor | |
2N4220A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans JFET N-CH Si 4-Pin TO-72 |