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2N4213

更新时间： 2024-11-24 22:35:51

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	78K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS

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2N4213 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.78	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	0.1 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	3 mA
JEDEC-95代码：	TO-205AD	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	最大漏电流：	0.2 mA
通态非重复峰值电流：	15 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	1600 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	1.6 A
重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA	断态重复峰值电压：	50 V
重复峰值反向电压：	50 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N4214	MOTOROLA	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
2N4214	SSDI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 1600mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element
2N4215	SSDI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1.3A I(T)RMS, 1000mA I(T), 150V V(DRM), 150V V(RRM), 1 Eleme
2N4216	MOTOROLA	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
2N4216	NJSEMI	获取价格	SCR, V(DRM) = 200V TO 299.9V
2N4216	SSDI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 1600mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element
2N4218	NJSEMI	获取价格	SCR, V(DRM) = 300V TO 399.9V
2N4219	SSDI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 1600mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element
2N4219	MOTOROLA	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
2N4220	INTERFET	获取价格	N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor