是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.75 |
风险等级: | 5.81 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 0.2 A | 基于收集器的最大容量: | 3 pF |
集电极-发射极最大电压: | 12 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 30 | JEDEC-95代码: | TO-18 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 0.3 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 700 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2N4208LEADFREE | CENTRAL |
功能相似 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, TO-18 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N4208LEADFREE | CENTRAL |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, TO-18 | |
2N4209 | VISHAY |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR | |
2N4209 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors | |
2N4209 | NJSEMI |
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SI PNP LP HF BJT | |
2N4209 | ASI |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, TO-18, TO-18, 3 P | |
2N420A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 70V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 | |
2N4210 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AE | |
2N4210E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 | |
2N4211 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AE | |
2N4211E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 |