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2N3906V

更新时间: 2024-11-30 07:28:35
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 421K
描述
VSM PACKAGE

2N3906V 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.58Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:R-PDSO-F3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
最大关闭时间(toff):300 ns最大开启时间(吨):70 ns
Base Number Matches:1

2N3906V 数据手册

  
SEMICONDUCTOR  
MARKING SPECIFICATION  
2N3906V  
VSM PACKAGE  
1. Marking method  
Laser Marking  
2. Marking  
ZA  
No.  
Item  
Marking  
Description  
Device Mark  
hFE Grade  
ZA  
-
2N3906V  
-
2007. 5. 17  
Revision No : 0  
1/1  

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