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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3917 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL C |
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| 2N3918 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N3918 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL C |
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| 2N3918E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL C |
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| 2N3919 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N392 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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| 2N3920 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N3920E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N3921 | CALOGIC |
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MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET HENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
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| 2N3921 | INTERSIL |
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N-CHANNEL JFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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