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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3930 | ASI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, |
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| 2N3931 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N3932 | NJSEMI |
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SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPES |
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| 2N3933 | NJSEMI |
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Electrical characterlitics |
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| 2N3934 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 50V V(BR)DSS | TO-71 |
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| 2N3935 | TI |
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2N3935 |
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| 2N3938 | NJSEMI |
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SCR, V(DRM) = 300V TO 399.9V |
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| 2N394 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5 |
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| 2N3945 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N3945 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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