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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3935 | TI |
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2N3935 |
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| 2N3938 | NJSEMI |
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SCR, V(DRM) = 300V TO 399.9V |
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| 2N394 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5 |
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| 2N3945 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N3945 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3945LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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| 2N3946 | FAIRCHILD |
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NPN Small Signal General Purpose Amplifier & Switch |
|
| 2N3946 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3946 | NJSEMI |
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NPN SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE AMPLIFIER AND SWITCH |
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| 2N3946 | MOTOROLA |
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Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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