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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.77 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3929 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-210AA |
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| 2N393 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 6V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-24 |
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| 2N3930 | ASI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, |
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| 2N3931 | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N3932 | NJSEMI | SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPES |
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| 2N3933 | NJSEMI | Electrical characterlitics |
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