Datasheet > 2N3919

2N3919

更新时间： 2024-02-18 16:19:01

品牌	Logo	应用领域
SEME-LAB		装置
页数	文件大小	规格书
1页	14K
描述
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N3919 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.57
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
VCEsat-Max：	1.2 V

2N3919 数据手册

2N3919

Dimensions in mm (inches).

Bipolar NPN Device in a

Hermetically sealed TO3

Metal Package.

25.15 (0.99)

26.67 (1.05)

6.35 (0.25)

9.15 (0.36)

10.67 (0.42)

11.18 (0.44)

1.52 (0.06)

3.43 (0.135)

Bipolar NPN Device.

V_CEO= 60V

(case)

3.84 (0.151)

4.09 (0.161)

I_C= 10A

7.92 (0.312)

12.70 (0.50)

All Semelab hermetically sealed products

can be processed in accordance with the

requirements of BS, CECC and JAN,

JANTX, JANTXV and JANS specifications.

TO3 (TO204AA)

PINOUTS

1 – Base

2 – Emitter

Case - Collector

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Units

V_CEO*

I_C(CONT)

h_FE

@ 2.0/2.0 (V_CE/ I_C)

120

f_t

80M

P_D

* Maximum Working Voltage

This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact sales@semelab.co.uk.

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab plc.

Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Generated

31-Jul-02

下载PDF

与2N3919相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N392	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-3	获取价格
2N3920	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL	获取价格
2N3920E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL	获取价格
2N3921	CALOGIC	MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET HENERAL PURPOSE AMPLIFIER	获取价格
2N3921	INTERSIL	N-CHANNEL JFET	获取价格
2N3922	CALOGIC	MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET HENERAL PURPOSE AMPLIFIER	获取价格