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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3920 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N3920E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N3921 | CALOGIC |
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MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET HENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
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| 2N3921 | INTERSIL |
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N-CHANNEL JFET |
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| 2N3922 | CALOGIC |
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MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET HENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
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| 2N3922 | INTERSIL |
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N-CHANNEL JFET |
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| 2N3923 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3923LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 P |
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| 2N3924 | NJSEMI |
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COMMUNICATIONS TRANSISTORS |
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| 2N3925 | NJSEMI |
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NPN SILICON ANNULAR |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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