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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3926 | NJSEMI |
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COMMUNICATIONS TRANSISTORS |
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| 2N3927 | NJSEMI |
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NPN SILICON ANNULAR |
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| 2N3928 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
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| 2N3928E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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| 2N3929 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-210AA |
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| 2N393 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 6V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-24 |
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| 2N3930 | ASI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, |
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| 2N3931 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N3932 | NJSEMI |
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SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPES |
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| 2N3933 | NJSEMI |
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Electrical characterlitics |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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