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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.91 |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 子类别： | FET General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3910 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-46 |
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| 2N3911 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-46 |
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| 2N3912 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-46 |
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| 2N3913 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18 |
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| 2N3914 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18 |
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| 2N3915 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18 |
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| 2N3916 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-37VAR |
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| 2N3917 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL C |
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| 2N3918 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N3918 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL C |
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