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2N3908

更新时间: 2024-02-04 05:59:12
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其他 - ETC 晶体放大器晶体管
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1页 128K
描述
SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS

2N3908 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.59
最大集电极电流 (IC):0.03 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):125最高工作温度:200 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.6 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
标称过渡频率 (fT):60 MHzBase Number Matches:1

2N3908 数据手册

  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-46
2N3913 ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18
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2N3917 MICROSEMI

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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL C