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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N3906ZL1G
2N3906ZL1G PDF预览

2N3906ZL1G

更新时间： 2024-11-30 12:58:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
8页 102K
描述
TRANSISTOR 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2N3906ZL1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.01其他特性：EUROPEAN PART NUMBER
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
最大关闭时间（toff）：300 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

2N3906ZL1G 数据手册

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2N3906  
Preferred Device  
General Purpose  
Transistors  
PNP Silicon  
http://onsemi.com  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
2
BASE  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
40  
Vdc  
1
EMITTER  
5.0  
Vdc  
Collector Current – Continuous  
I
C
200  
mAdc  
STYLE 1  
Total Device Dissipation  
P
D
@ T = 25°C  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
TO–92  
CASE 29  
STYLE 1  
Total Power Dissipation  
P
P
250  
mW  
D
@ T = 60°C  
A
1
2
Total Device Dissipation  
D
3
@ T = 25°C  
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Derate above 25°C  
MARKING DIAGRAMS  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to  
+150  
°C  
2N  
3906  
YWW  
THERMAL CHARACTERISTICS (Note 1.)  
Characteristic Symbol  
Thermal Resistance,  
Max  
Unit  
R
R
200  
°C/W  
θJA  
Junction to Ambient  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
Thermal Resistance,  
Junction to Case  
83.3  
°C/W  
θJC  
1. Indicates Data in addition to JEDEC Requirements.  
ORDERING INFORMATION  
Device  
2N3906  
Package  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
Shipping  
5000 Units/Box  
2N3906RLRA  
2N3906RLRE  
2N3906RLRM  
2N3906RLRP  
2N3906RL1  
2000/Tape & Reel  
2000/Tape & Reel  
2000/Ammo Pack  
2000/Ammo Pack  
2000/Tape & Reel  
2000/Ammo Pack  
2N3906ZL1  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
November, 2001 – Rev. 0  
2N3906/D  
12345678

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2N3906ZL1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N3906BU ONSEMI

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 小信号 PNP 双极晶体管，TO-92
2N3906TF ONSEMI

完全替代

 小信号 PNP 双极晶体管，TO-92
2N3906TFR ONSEMI

完全替代

 小信号 PNP 双极晶体管，TO-92

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2N3907 ETC

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 		SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS
2N3908 ETC

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 		SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS
2N3909 NSC

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 		TRANSISTOR,JFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,300UA I(DSS),TO-72
2N3909A NSC

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 		TRANSISTOR,JFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,1MA I(DSS),TO-72
2N3910 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-46
2N3911 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-46
2N3912 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-46
2N3913 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18
2N3914 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18
2N3915 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18

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