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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | CASE 29-11, TO-226, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.01 | 其他特性： | EUROPEAN PART NUMBER |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 300 ns | 最大开启时间（吨）： | 70 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N3906TFR | FAIRCHILD |
功能相似  |
PNP General Purpose Amplifier |
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| 2N3906TF | FAIRCHILD |
功能相似 |
PNP General Purpose Amplifier |
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| 2N3906TA | FAIRCHILD |
功能相似 |
PNP General Purpose Amplifier |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3906ZL1G | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-11, TO-226, 3 PI |
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| 2N3907 | ETC |
获取价格 |
SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS |
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| 2N3908 | ETC |
获取价格 |
SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS |
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| 2N3909 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,JFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,300UA I(DSS),TO-72 |
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| 2N3909A | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,JFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,1MA I(DSS),TO-72 |
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| 2N3910 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-46 |
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| 2N3911 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-46 |
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| 2N3912 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-46 |
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| 2N3913 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18 |
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| 2N3914 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18 |
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